碳化硅
碳化硅
多晶碳化硅(SiC)在某些尖端领域具有超越氧基陶瓷的性能,例如高温应用,耐磨件或电子和光电元器件。
碳化硅的主要特性:
- 重量轻
- 非常高的硬度
- 良好的耐疲劳性
- 导热性强
- 膨胀系数低
- 化学惰性强
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单位 |
数值 |
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单位 |
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基本特性 |
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密度 |
g.cm-3 |
3.1 |
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吸水性 |
% |
0 |
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气渗透性 |
% |
0 |
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颜色 |
- |
黑色 |
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结构 |
- |
多晶体 |
|
Average grain size |
µm |
- |
|
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机械特性 |
|
|
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20°C 弯曲强度 |
MPa |
400 |
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韦伯分布 |
- |
12 |
|
压缩强度 |
MPa |
2000 |
|
断裂韧度 |
MPa.m1/2 |
4 |
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杨氏模量 |
GPa |
400 |
|
泊松系数 |
- |
0.15 |
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维氏硬度 |
Hv |
2200 |
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热能特性 |
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20°C 导热性 |
W.m-1.k-1 |
100 |
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1000°C 导热性 |
W.m-1.k-1 |
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线性热膨胀系数 |
|
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20-100°C |
10-6.k-1 |
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20-400°C |
10-6.k-1 |
3.5 |
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20-600°C |
10-6.k-1 |
|
|
20-1000°C |
10-6.k-1 |
5 |
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20°C 比热 |
kJ.kg-1.k-1 |
0.6 |
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最高使用温度 |
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有氧条件 |
°C |
1400 |
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惰性条件 |
°C |
1800 |
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电气特性 |
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25°C 电阻值 |
Ω.cm |
5.107 |
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400°C 电阻值 |
Ω.cm |
1.101 |
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介电强度 |
kV.mm-1 |
0 |
|
介电常数 |
- |
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Tan δ |
- |
4.10-3 (1GHz) |
氮化硅
氮化硅
多晶氮化硅(Si3N4)在某些尖端领域具有超越氧基陶瓷的性能,例如高温应用,耐磨件或电子和光电元器件。
氮化硅的主要特性:
- 重量轻
- 非常高的硬度
- 良好的耐疲劳性
- 导热性强
- 膨胀系数低
- 化学惰性强
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单位 |
数值 |
|
|
单位 |
|
基本特性 |
|
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|
密度 |
g.cm-3 |
3.21 |
|
吸水性 |
% |
0 |
|
气渗透性 |
% |
0 |
|
颜色 |
- |
Grey |
|
结构 |
- |
多晶体 |
|
Average grain size |
µm |
- |
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|
机械特性 |
|
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20°C 弯曲强度 |
MPa |
850 |
|
韦伯分布 |
- |
16 |
|
压缩强度 |
MPa |
3000 |
|
断裂韧度 |
MPa.m1/2 |
7 |
|
杨氏模量 |
GPa |
300 |
|
泊松系数 |
- |
0.25 |
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维氏硬度 |
Hv |
1600 |
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热能特性 |
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20°C 导热性 |
W.m-1.k-1 |
20 |
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1000°C 导热性 |
W.m-1.k-1 |
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|
线性热膨胀系数 |
|
|
|
20-100°C |
10-6.k-1 |
|
|
20-400°C |
10-6.k-1 |
3.2 |
|
20-600°C |
10-6.k-1 |
|
|
20-1000°C |
10-6.k-1 |
4.3 |
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20°C 比热 |
kJ.kg-1.k-1 |
0.7 |
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最高使用温度 |
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有氧条件 |
°C |
1300 |
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惰性条件 |
°C |
1600 |
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电气特性 |
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25°C 电阻值 |
Ω.cm |
1.1014 |
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400°C 电阻值 |
Ω.cm |
1.1010 |
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介电强度 |
kV.mm-1 |
19 |
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介电常数 |
- |
8 (1MHz) |
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Tan δ |
- |
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